На базе научно-технологического центра «Интеллектуальная электроника — Валдай» (ИНТЦ) дан старт строительству полноцикличного производства по выпуску микросхем с нормами 800 нм и 600 нм. Потенциальные заказчики – оборонная и космическая отрасль.
Мировой контекст
Технологические нормы 800 нм и 600 нм, осваиваемые в ИНТЦ, относятся к категории простых техпроцессов. Согласно международным данным, технология 800 нм была впервые внедрена ведущими мировыми производителями, такими как Intel и IBM, в период с 1987 по 1990 годы.
Норма 600 нм достигнута в 1994–1995 годах и использовалась для производства таких продуктов, как Intel Pentium P54C и IBM/Motorola PowerPC 601.
Хоть данные технологии и считаются устаревшими для потребительской электроники, они остаются востребованными в:
- оборонной промышленности;
- космической отрасли;
- автоэлектронике;
- энергетическом секторе.
Особо важно, что микросхемы, произведенные по этим нормам, обладают повышенной надежностью и устойчивостью к экстремальным условиям, включая радиационное воздействие.
Инфраструктура центра
Структура центра предусматривает создание лабораторно-исследовательских зон и учебно-производственных мощностей, нацеленных на осуществление научно-проектной деятельности и подготовку высококвалифицированных кадров для микроэлектронной отрасли.
В рамках технического оснащения осуществляется закупка оборудования, включая комплексы для плазмохимической обработки кремниевых подложек и автоматизированные линии корпусирования интегральных схем. В кооперации с АО «ОКБ Планета» на начальном этапе будет реализован полный технологический цикл производства микроэлектронных изделий с проектными нормами 1,0–1,5 микрона.
Полный цикл
Стратегическая задача центра – создание полномасштабного производства микроэлектроники, охватывающего все этапы: от формирования топологии на кремниевых подложках до упаковки чипов в защитные корпуса.
В сфере научных интересов – инжиниринг и изучение высокоэффективных гетероструктур. Для их создания применяются передовые полупроводниковые материалы классов AIIIBV и AIIBIV, включая уникальные кремний-германиевые наноструктуры.
Стратегическое значение
Значимость строительства нового завода обусловлена растущим спросом на отечественную микроэлектронику. К примеру, в прошлом году объем производства радиоэлектронной продукции в стране, по сравнению с 2023 годом, увеличился на 34% и составил 3,5 трлн рублей.
В долгосрочной перспективе развитие ИНТЦ позволит создать основу для дальнейшего перехода к более современным технологическим нормам, таким как 28 нм и 14 нм. В РФ их планируют освоить к 2030 году.
_____________________________
Свежие комментарии